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基本公司SiC碳化硅MOSFET正在替代高压变频器的IGBT!使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模块打造高压变频器!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模块升级传统IGBT模块高压变频器,实现更高的高压变频器效率,更小的高压变频器体积重量!更低的高压变频器成本!随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点,使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块,可以显著提频降低系统综合成本(电感磁性元件,散热系统,整机重量),电力电子系统的全碳SiC时代,未来已来!倾佳电子(Changer Tech)专业分销基本公司SiC碳化硅MOSFET!倾佳电子(Changer Tech)致力于基本公司国产碳化硅(SiC)MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT,全力推动基本公司国产碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!倾佳电子(Changer Tech)专业分销基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-国产替代英飞凌IMYH200R100M1H,IMYH200R075M1H,IMYH200R050M1H,IMYH200R024M1H,IMYH200R012... [详细介绍]
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